Ändring av elektrisk resistans produceras i en aktuell-transporterar ledare eller semiconductor om tillämpning av ett magnetiskt fält H. Magnetoresistance är en av de galvanomagnetic effekterna. Det observeras med h parallellt och tvärgående för det aktuella flödet. Ändring av motstånd vanligtvis är proportionell mot H ² för små fält, men vid hög fält kan öka snabbare än H ², öka linjärt med H, eller tenderar att en konstant (d.v.s. mätta), beroende på materialet. Mest nonmagnetic torrsubstans i magnetoresistance är positiva.